Elektrotechnický ústav, Slovenská akadémia vied

Medzi vedecké a priemyselné projekty patrili napríklad partneri ako Infineon Villach (vysokovýkonná elektronika GaN pre elektronickú mobilitu), CERN (supravodivé magnety pre fúziu), Danubia Nanotech (2D-materiály) atď. Elektronika na báze GaN má robiť vysoko výkonné jednotky na nabíjanie a pohon elektronických a hybridných automobilov. IEE SAS má príslušné odborné znalosti v oblasti vývoja zariadení založených na technológii GaN a od roku 2004 pracuje v tejto oblasti (projekt FP6 Ultragan, koordinovaný spoločnosťou Alcatel Thales, FP 7 Projekt Morgan koordinovaný spoločnosťou Alcatel Thales, projekt FP 7 HipoSwitch koordinovaný spoločnosťou FBH Berlin, V4 -Japanský projekt SafeMost koordinovaný spoločnosťou IEE SAS). V súčasnej dobe IEE SAS vyvíja tranzistory GaN na bezpečnú prevádzku invertorov a vertikálne vertikálne tranzistorové tranzistory GaN pre prevádzkový rozsah 600 V, ktoré sú potenciálne využiteľné v oblasti e-mobility. IEE je držiteľom PCT patentovej prihlášky pre vertikálny tranzistor založený na GaN.